----------------------------------招标机构发布信息原文：-----------------------
标题:2018年07月19日中国科学院上海高等研究院于上午发布张江实验室（中国科学院上海高等研究院）硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干法去胶等设备采购项目重新招标公开招标公告
上海国际招标有限公司受中国科学院上海高等研究院委托，根据《中华人民共和国政府采购法》等有关规定，现对张江实验室（中国科学院上海高等研究院）硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干法去胶等设备采购项目重新招标进行公开招标，欢迎合格的供应商前来投标。
《==招标投标法 第七条 有关行政监督部门依法对招标投标活动实施监督，依法查处招标投标活动中的违法行为。==来源:十环网==》
项目名称：张江实验室（中国科学院上海高等研究院）硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干法去胶等设备采购项目重新招标 项目编号：18101802 项目联系方式： 项目联系人：赵丽莉 项目联系电话：021-62791919*135 采购单位联系方式： 采购单位：中国科学院上海高等研究院 地址：上海市浦东新区海科路99号 联系方式：黄雨辰、021-20325063 代理机构联系方式： 代理机构：上海国际招标有限公司 代理机构联系人：赵丽莉、86-21-62791919×135 代理机构地址： 中国上海延安西路358号美丽园大厦14、20楼 一、采购项目的名称、数量、简要规格描述或项目基本概况介绍： 序号 | 货物名称 | 简要技术说明 | 数量 | 交货期 |
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1 | SOG Coating涂布机 | 涂布速度：0-30m/min 有效涂布宽度：600mm 涂布轮尺寸：Ф205×720mm 动力：2hp | 1台/套 | 2018年10月15日 | 2 | 炉管 | 炉管方向：垂直 平坦温区控温精度：设定值±0.5℃ 升温超调：设定值±1℃ 气体流量稳定度：流量>=10slm,变动<= 10sccm, 流量<10slm,变动<=5sccm 退火温度片内非均匀性：WIW(%) <2.5% 退火温度片与片非均匀性：WTW(%)<2.0% 平均无故障率：(MTBF) >=96 | 1台/套 | 2018年10月15日 | 3 | 二氧化硅介质膜热生长和高温退火工艺设备Furnance(Anneal&Thermal OX) | 炉管方向：垂直 平坦温区控温精度：设定值±0.5℃ 升温超调：设定值±1℃ 气体流量稳定度：流量>=10slm,变动<= 10sccm, 流量<10slm,变动<=5sccm 膜厚片内非均匀性：<2.0% 膜厚片与片非均匀性：<2.0% 二氧化硅膜厚范围：50埃至2微米 二氧化硅膜折射率：1.46±3% 石英舟承片量：大于150 平均无故障率：>93% | 1台/套 | 2018年10月15日 | 4 | 高温氮化硅介质膜热生长设备Furnance（LPCVD SiN） | 炉管方向：垂直 平坦温区控温精度：设定值±0.5℃ 升温超调：设定值±1℃ 气体流量稳定度：流量>=10slm,变动<= 10sccm, 流量<10slm,变动<=5sccm 膜厚片内非均匀性：<2.5% 膜厚片与片非均匀性：<2% 氮化硅膜厚范围：50埃至1微米 氮化硅膜折射率：2.01±3% 石英舟承片量：大于150 平均无故障率：>93% | 1台/套 | 2018年10月15日 | 5 | 氮化硅和氧化硅刻蚀设备Oxide/SiN etch | 晶圆尺寸：200毫米 被刻蚀材料：氮化硅和氧化硅 二氧化硅刻蚀速率：>每分钟400纳米 二氧化硅刻蚀速率非均匀性：<5% 二氧化硅刻蚀对光刻胶选择比：>5:1 二氧化硅刻蚀对氮化硅选择比：>20:1 二氧化硅刻蚀形貌：88~90o 氮硅刻蚀速率：>每分钟300纳米 氮化硅刻蚀速率非均匀性：<3% 氮化硅刻蚀对光刻胶选择比：>3:1 氮化硅刻蚀对硅选择比：>5:1 平均无故障率：>87% | 1台/套 | 2018年10月15日 | 6 | 干法去胶设备 | 反应腔：单片单面 晶圆尺寸：200毫米 等离子体源模式：电感耦合等离子体或downstream微波 去胶速率：>每分钟5.0微米 去胶速率非均匀性：<3% 去胶对二氧化硅选择比：>2500:1 | 1台/套 | 2018年10月15日 |
二、投标人的资格要求： 1） 投标人须是投标货物的制造商，或是再制造企业，或是取得有效授权的代理商。(若是再制造企业，应当具备再制造生产所需的必备条件（见质检检函[2008]109号“关于规范进口再制造用途旧机电产品检验监管工作的通知”的附件“申请再制造企业登记必备条件”），并向所在地检验检疫机构申请登记；若是代理商，须提供投标由投标货物制造商或再制造企业出具的针对本项目的书面授权书。)；2） 投标货物可以是全新设备，也可以是再制造后的旧设备，投标人必须在其投标文件中对投标货物明确说明（若为旧设备，须提供设备的生产年份和序列号，且须符合国家建设循环经济和再制造产业发展的要求，通过先进工艺技术和产业化生产可以恢复原设计性能。）；3） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部指定的为机电产品国际招标投标活动提供公共服务和行政监督的网上平台（以下简称招标网，网址为：http://www.chinabidding.com）上完成有效注册；4） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织（须提供营业执照或其他相关登记证明文件）；5） 投标人近三年内在经营活动中没有重大违法记录，无利用不正当竞争手段骗取中标，无重大经济刑事案件，未因自身的任何违约、违法或违反商业道德的行为而导致合同解除或作为被告败诉（须提供承诺书）；6） 投标人应具有履行合同所必须的设备和半导体专业技术能力，投标人须具有SOG Coating涂布机、炉管、二氧化硅介质膜热生长和高温退火工艺设备、高温氮化硅介质膜热生长设备、氮化硅和氧化硅刻蚀设备、干法去胶设备的整机销售及装机经验（须提供机台合同复印件或验收证明文件或用户证明文件）；7） 投标人提供的投标货物必须为自有机台，须提供自有机台真实性证明文件（机台所属证明，down-payment，不接受LOI），投标人须在招标人提出要求后的3天内接受招标人对机台真实性的现场查验；8） 本项目不接受联合体投标。
《==招标投标法 第三条（三）前款所列项目的具体范围和规模标准，由国务院发展计划部门会同国务院有关部门制订，报国务院批准。==来源:十环网==》
三、招标文件的发售时间及地点等： 预算金额：2715.0 万元（人民币） 时间：2018年07月18日 17:39 至 2018年07月25日 16:00(双休日及法定节假日除外) 地点：中国上海延安西路358号美丽园大厦14、20楼 招标文件售价：￥1000.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 招标文件获取方式：至现场购买或邮寄 四、投标截止时间：2018年08月09日 10:00 五、开标时间：2018年08月09日 10:00 六、开标地点： 中国上海延安西路358号美丽园大厦20楼第九会议室 七、其它补充事宜 本项目为国际竞争性招标，招标公告已同步发布在中国国际招标网。 八、采购项目需要落实的政府采购政策： 本项目资金来源已经落实。
来源：上海中国科学院上海高等研究院
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标签: 项目 设备 招标 上海 生产
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