2018年05月14日中国科学院上海高等研究院于下午发布张江实验室（中国科学院上海高等研究院）硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发硅刻蚀等设备采购项目国际竞争性招标重新招标公开招

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来源：上海中国科学院上海高等研究院
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　　上海国际招标有限公司受中国科学院上海高等研究院委托，根据《中华人民共和国政府采购法》等有关规定，现对张江实验室（中国科学院上海高等研究院）硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发硅刻蚀等设备采购项目国际竞争性招标重新招标进行公开招标，欢迎合格的供应商前来投标。

项目名称：张江实验室（中国科学院上海高等研究院）硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发硅刻蚀等设备采购项目国际竞争性招标重新招标

项目编号：0705-184118101807

项目联系方式：

项目联系人：赵丽莉

项目联系电话：86-21-62791919×135

采购单位联系方式：

采购单位：中国科学院上海高等研究院

地址：上海市浦东新区海科路99号

联系方式：黄雨辰、021-20325063

代理机构联系方式：

代理机构：上海国际招标有限公司

代理机构联系人：赵丽莉、86-21-62791919×135

代理机构地址： 中国上海延安西路358号美丽园大厦14、20楼

一、采购项目的名称、数量、简要规格描述或项目基本概况介绍：

采购项目名称：（1）硅材料刻蚀设备 (Si/Poly etch)：1台/套；

简要技术要求：

刻蚀速率：>每分钟200纳米；

刻蚀速率非均匀性：<3%；

硅刻蚀速率对光刻胶选择比：>10:1；

硅刻蚀速率对二氧化硅选择比：>30:1；

无停止层刻蚀深度检测：在线式终点检测；

在线式终点检测抖动：<30毫秒；

在线式终点检测延迟：<40毫秒。

（2）晶圆背面清洗设备(Backside Clean)：1台/套；

简要技术要求：

氮化硅刻蚀速率：>每分钟100Å（49% HF 45度）；

二氧化硅刻蚀速率：>每分钟100Å（49% HF 45度）；

多晶硅刻蚀速率：>每分钟100Å （HF:HNO3 室温）；

刻蚀非均匀性：<5%；

金属污染：<1E10 atoms/cm2 (Al, Fe, Co, Ta, Cr, Na, Ru, K, Au, Cu, S, Ni, Ti, Zn)；

二、投标人的资格要求：

投标人须是投标货物的制造商，或是取得有效授权的代理商。(若是代理商，须提供由投标货物制造商出具的针对本项目的书面授权书。)；2） 投标人须在投标截止期之前在国家商务部指定的为机电产品国际招标投标活动提供公共服务和行政监督的网上平台（以下简称招标网，网址为：http://www.chinabidding.com）上完成有效注册；3） 投标货物须为全新设备；4） 投标人应为符合《中华人民共和国招标投标法》规定的独立法人或其他组织（须提供营业执照或其他相关登记证明文件）；5） 投标人近三年内在经营活动中没有重大违法记录，无利用不正当竞争手段骗取中标，无重大经济刑事案件，未因自身的任何违约、违法或违反商业道德的行为而导致合同解除或作为被告败诉（须提供承诺书）；6） 投标人应具有履行合同所必须的设备和半导体专业技术能力，投标人须具有硅材料刻蚀设备、晶圆背面清洗设备的实际供货和装机经验（须提供机台验收证明文件或用户证明文件）；7） 本项目不接受联合体投标。

三、招标文件的发售时间及地点等：

预算金额：2710.0 万元（人民币）

时间：2018年05月14日 09:00 至 2018年05月21日 16:00(双休日及法定节假日除外)

地点：中国上海延安西路358号美丽园大厦14楼

招标文件售价：￥1000.0 元，本公告包含的招标文件售价总和

招标文件获取方式：至现场购买

四、投标截止时间：2018年06月06日 13:30

五、开标时间：2018年06月06日 13:30

六、开标地点：

中国上海延安西路358号美丽园大厦14楼

七、其它补充事宜

本项目为国际竞争性招标。

八、采购项目需要落实的政府采购政策：

本次招标所需的资金来源已经落实。