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张江实验室(中国科学院上海高等研究院)硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干[上午公告]法去胶等设备采购项目重新招标中标公告8月10日

时间:2018-08-10 14:59  十环招标网 整理     作者:中国科学院上海高等研究院

该信息在十环招标网档案:
所在栏目:2018中标
十环招标网信息编号:430828
十环招标网转载自:上海中国科学院上海高等研究院 发布关于:张江实验室(中国科学院上海高等研究院)硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干[上午公告]法去胶等设备采购项目重新招标中标公告8月10日的信息
来源:上海中国科学院上海高等研究院
2018中标信息阅读方式:免费


招标公告信息说明
以下招标公告信息由:
中国科学院上海高等研究院机构发布,
从2018中标正文以下信息本站不做任何修改.

----------------------------------招标机构发布信息原文:-----------------------

标题:张江实验室(中国科学院上海高等研究院)硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干[上午公告]法去胶等设备采购项目重新招标中标公告8月10日

  上海国际招标有限公司受中国科学院上海高等研究院的委托,就“张江实验室(中国科学院上海高等研究院)硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干法去胶等设备采购项目重新招标”项目(项目编号:18101802)组织采购,评标工作已经结束,中标结果如下:


《==招标投标法 第十四条 从事工程建设项目招标代理业务的招标代理机构,其资格由国务院或者省、自治区、直辖市人民政府的建设行政主管部门认定。==来源:十环招标网==》


《==招标投标法 第二十六条 投标人应当具备承担招标项目的能力;国家有关规定对投标人资格条件或者招标文件对投标人资格条件有规定的,投标人应当具备规定的资格条件。==来源:十环招标网==》

一、项目信息

项目编号:18101802

项目名称:张江实验室(中国科学院上海高等研究院)硅光子市级重大专项200mm硅光中试平台拓展和成套工艺开发炉管及干法去胶等设备采购项目重新招标

项目联系人:赵丽莉

联系方式:021-62791919*135

二、采购单位信息

采购单位名称:中国科学院上海高等研究院

采购单位地址:上海市浦东新区海科路99号

采购单位联系方式:黄雨辰、021-20325063

三、项目用途、简要技术要求及合同履行日期:

序号

货物名称

简要技术说明

数量

交货期


《==招标投标法 第52条 对单位直接负责的主管人员和其他直接责任人员依法给予处分;构成犯罪的,依法追究刑事责任。前款所列行为影响中标结果的,中标无效。==来源:十环网==》

1


《==招标投标法 第六十条 中标人不按照与招标人订立的合同履行义务,情节较为严重的,取消其二年至五年内参加依法必须进行招标的项目的投标资格并予以公告,直至由工商行政管理机关吊销营业执照。因不可抗力不能履行合同的,不适用前两款规定。==来源:十环网==》

SOG Coating涂布机

涂布速度:0-30m/min

有效涂布宽度:600mm

涂布轮尺寸:Ф205×720mm

动力:2hp

1台/套

2018年10月15日

2

炉管

炉管方向:垂直

平坦温区控温精度:设定值±0.5℃

升温超调:设定值±1℃

气体流量稳定度:流量>=10slm,变动<= 10sccm,

流量<10slm,变动<=5sccm

退火温度片内非均匀性:WIW(%) <2.5%

退火温度片与片非均匀性:WTW(%)<2.0%

平均无故障率:(MTBF) >=96

1台/套

2018年10月15日

3

二氧化硅介质膜热生长和高温退火工艺设备Furnance(Anneal&Thermal OX)

炉管方向:垂直

平坦温区控温精度:设定值±0.5℃

升温超调:设定值±1℃

气体流量稳定度:流量>=10slm,变动<= 10sccm,

流量<10slm,变动<=5sccm

膜厚片内非均匀性:<2.0%

膜厚片与片非均匀性:<2.0%

二氧化硅膜厚范围:50埃至2微米

二氧化硅膜折射率:1.46±3%

石英舟承片量:大于150

平均无故障率:>93%

1台/套

2018年10月15日

4

高温氮化硅介质膜热生长设备Furnance(LPCVD SiN)

炉管方向:垂直

平坦温区控温精度:设定值±0.5℃

升温超调:设定值±1℃

气体流量稳定度:流量>=10slm,变动<= 10sccm,

流量<10slm,变动<=5sccm

膜厚片内非均匀性:<2.5%

膜厚片与片非均匀性:<2%

氮化硅膜厚范围:50埃至1微米

氮化硅膜折射率:2.01±3%

石英舟承片量:大于150

平均无故障率:>93%

1台/套

2018年10月15日

5

氮化硅和氧化硅刻蚀设备Oxide/SiN etch

晶圆尺寸:200毫米

被刻蚀材料:氮化硅和氧化硅

二氧化硅刻蚀速率:>每分钟400纳米

二氧化硅刻蚀速率非均匀性:<5%

二氧化硅刻蚀对光刻胶选择比:>5:1

二氧化硅刻蚀对氮化硅选择比:>20:1

二氧化硅刻蚀形貌:88~90o

氮硅刻蚀速率:>每分钟300纳米

氮化硅刻蚀速率非均匀性:<3%

氮化硅刻蚀对光刻胶选择比:>3:1

氮化硅刻蚀对硅选择比:>5:1

平均无故障率:>87%

1台/套

2018年10月15日

6

干法去胶设备

反应腔:单片单面

晶圆尺寸:200毫米

等离子体源模式:电感耦合等离子体或downstream微波

去胶速率:>每分钟5.0微米

去胶速率非均匀性:<3%

去胶对二氧化硅选择比:>2500:1

1台/套

2018年10月15日

 

四、采购代理机构信息

采购代理机构全称:上海国际招标有限公司

采购代理机构地址:中国上海延安西路358号美丽园大厦14、20楼

采购代理机构联系方式:赵丽莉、86-21-62791919×135

五、中标信息

招标公告日期:2018年07月18日

中标日期:2018年08月09日

总中标金额:2706.382 万元(人民币)

中标供应商名称、联系地址及中标金额:

序号中标供应商名称中标供应商联系地址中标金额(万元)
1GENES TECH CO.,LTD中国台湾新竹县竹北市保泰三路80号(N0.80,baotai 3rd Rd。,zhubei City,Hsinchu Country 30244,Taiwan China)2706.382000

本项目招标代理费总金额:11.0 万元(人民币)

本项目招标代理费收费标准:

根据标准收费下浮40%后计取。

评审专家名单:

曾庆光、曹寅、王丁、刘曙、李斌

中标标的名称、规格型号、数量、单价、服务要求:

详见附件“开标一览表”内容。

六、其它补充事宜

本项目为国际竞争性招标,中标公告同步发布在中国国际招标网。


来源:上海中国科学院上海高等研究院  


------------------------------------招标信息结束----------------------------

标签: 中标   项目   招标   上海   资格

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